Für Smartphones hat Samsung einen neuen Datenspeicher vorgestellt, der auf eUFS 3.0 basiert und im Vergleich total rasiert. Zu Beginn des Jahres hatte Samsung bereits einen 1 TB großen Speicherbaustein basierend auf eUFS 2.1 vorgestellt, nun folgt der nächste Knall. Man hat mit der Massenproduktion neuer eUFS 3.0-Speicherbausteine begonnen.
Datenspeicher in Smartphones wird noch schneller
Samsung wird den neuen Speicher in 512 GB ab sofort produzieren können, eine Version mit einem Terabyte soll noch im zweiten Halbjahr 2019 folgen. Beide Module erwarten wir dann als Option für das Samsung Galaxy Note 10, das im Spätsommer mit den Speichervarianten 512 GB und 1 TB vorgestellt wird.
Following the 512GB eUFS 3.0 as well as a 128GB version that are both launching this month, Samsung plans to produce 1TB and 256GB models in the second half of the year, to further help global device manufacturers in better delivering tomorrow’s mobile innovations.
Mit dem neuen Speicher überbietet Samsung die eigenen Rekorde drastisch. Während der im Januar vorgestellte Speicherbaustein mit bis zu 1 Gbit/s lesen (Sequentiell) konnte, schafft das neue Modell bis zu 2,1 Gbit/s. Ebenso beachtliche Erfolge gibt es in der Schreibgeschwindigkeit, der neue Baustein ist 1,58-fach schneller.
